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型号 PHB38N02LT,118
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
PHB38N02LT,118 PDF
代理商 PHB38N02LT,118
标准包装 800
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 16 毫欧 @ 25A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 800pF @ 20V
功率 - 最大 57.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 D2PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 568-2191-2
934057586118
PHB38N02LT /T3
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